H Samsung αναπτύσσει την πρώτη DRAM DDR5 12nm της βιομηχανίας

[nchatz]

Ακόμη μια επιτυχία για τη Samsung και το τμήμα μνημών της εταιρείας, το οποίο ανακοίνωσε ότι προχώρησε στην ανάπτυξη μνήμης DDR5 DRAM 16 gigabit (Gb) που έχει κατασκευαστεί αξιοποιώντας την πρώτη τεχνολογία διεργασιών κατηγορίας 12 νανομέτρων (nm) της βιομηχανίας, καθώς και την ολοκλήρωση της αξιολόγησης του προϊόντος για συμβατότητα με την AMD.

«Η εμβέλειας 12 nm DRAM θα αποτελεί βασικό παράγοντα για την υιοθέτηση της DDR5 DRAM από ολόκληρη την αγορά», σημείωσε ο Jooyoung Lee, Εκτελεστικός Αντιπρόεδρος Προϊόντος & Τεχνολογίας DRAM στη Samsung Electronics. «Χάρη στην εξαιρετική απόδοση και ισχύ που ενσωματώνει, αναμένουμε η νέα μας DRAM να χρησιμεύσει ως το θεμέλιο για πιο βιώσιμες λειτουργίες σε τομείς όπως οι υπολογιστές επόμενης γενιάς, τα κέντρα δεδομένων και τα συστήματα που βασίζονται σε τεχνητή νοημοσύνη».

«Η καινοτομία απαιτεί συχνά στενή συνεργασία με εταίρους του κλάδου για να ωθήσει τα όρια της τεχνολογίας», δήλωσε ο Joe Macri, Senior VP, Εταιρικός Συνεργάτης και Client, Compute και Graphics CTO της AMD. «Είμαστε ενθουσιασμένοι που θα συνεργαστούμε για ακόμη μια φορά με τη Samsung, ιδιαίτερα για την εισαγωγή προϊόντων μνήμης DDR5 που έχουν βελτιστοποιηθεί και επικυρωθεί σε πλατφόρμες “Zen”».

Αυτό το τεχνολογικό άλμα κατέστη δυνατό μέσω της χρήσης ενός νέου υλικού που αυξάνει την χωρητικότητα της κυψέλης αλλά και με τη βοήθεια της αποκλειστικής τεχνολογίας σχεδιασμού που βελτιώνει τα κρίσιμα χαρακτηριστικά του κυκλώματος. Σε συνδυασμό με προηγμένη λιθογραφία ακραίων υπεριωδών ακτίνων (EUV) πολλαπλών στρωμάτων, η νέα DRAM διαθέτει την υψηλότερη πυκνότητα μήτρας του κλάδου, επιτρέποντας 20% κέρδος στην παραγωγικότητα του wafer (δισκίο πυριτίου).

Αξιοποιώντας το πιο πρόσφατο πρότυπο DDR5, η DRAM κατηγορίας 12 nm της Samsung θα βοηθήσει να «ξεκλειδωθούν» ταχύτητες έως και 7,2 gigabit ανά δευτερόλεπτο (Gbps). Η δυνατότητα αυτή, αντιστοιχεί στην επεξεργασία δύο ταινιών UHD των 30 gigabyte (GB) σε μόλις ένα δευτερόλεπτο.

Επιπλέον, η εξαιρετική ταχύτητα της νέας DRAM συνδυάζεται με μεγαλύτερη απόδοση ισχύος. Καταναλώνοντας έως και 23% λιγότερη ενέργεια από την προηγούμενη DRAM, η DRAM κατηγορίας 12 nm θα αποτελεί την ιδανική λύση για παγκόσμιες εταιρείες πληροφορικής που επιδιώκουν λειτουργίες πιο φιλικές προς το περιβάλλον.

Με τη μαζική παραγωγή να ξεκινά το 2023, η Samsung σχεδιάζει να διευρύνει τη σειρά DRAM που βασίζεται στην προηγμένη τεχνολογία 12 nm, σε ένα ευρύ φάσμα τμημάτων της αγοράς, καθώς συνεχίζει να συνεργάζεται με άλλες εταιρείες του κλάδου για να υποστηρίξει την ταχεία επέκταση των υπολογιστών επόμενης γενιάς.

Διαβάστε ολόκληρο το άρθρο

[nitroc]

E ρε τζάμπα πήρα μνήμες DDR5 😄

[Retromaniac]

9 λεπτά πριν, nitroc είπε

E ρε τζάμπα πήρα μνήμες DDR5 😄

Τζάμπα δεν τις πήρες, ένα σκασμό λεφτά έδωσες 😛

Επεξ/σία 22 Δεκεμβρίου 2022 από Retromaniac

[mAs_81]

Noice 

[freegr]

Πολλές αλλαγές και καινοτομίες να δούμε την αποδοχή της αγοράς 

[inetien12]

Άντε και του χρόνου στα 10 nm

[TsoliasGR]

16 gigabit (Gb)? Orly Sammy?   hihihi 😂 I thought that was 16 Gigabyte...

[evark]

3 ώρες πριν, TsoliasGR είπε

16 gigabit (Gb)? Orly Sammy?   hihihi 😂 I thought that was 16 Gigabyte...

Η χωρητικότητα στα τσιπάκια μετριέται σε Gb, οπότε τα τσιπάκια αυτά θα έχουν 2GB ανα τεμάχιο.... Νομίζω όμως ότι ήδη υπάρχουν dimms των 16GB με 8 τσιπάκια, μπορεί να μην είναι 12nm (με ότι αυτό σημαίνει για κατανάλωση/ταχυτητα), αλλά υπάρχουν.

Επεξ/σία 23 Δεκεμβρίου 2022 από evark

[TsoliasGR]

Στις 23/12/2022 στις 10:58 ΜΜ, evark είπε

Η χωρητικότητα στα τσιπάκια μετριέται σε Gb, οπότε τα τσιπάκια αυτά θα έχουν 2GB ανα τεμάχιο.... Νομίζω όμως ότι ήδη υπάρχουν dimms των 16GB με 8 τσιπάκια, μπορεί να μην είναι 12nm (με ότι αυτό σημαίνει για κατανάλωση/ταχυτητα), αλλά υπάρχουν.

Mετριεται σε GIgabyte.όχι σε Gibabit.

[Thresh]

10 hours ago, TsoliasGR said:

Mετριεται σε GIgabyte.όχι σε Gibabit.

Συνολικά το dimm ναι, τα ξεχωριστά chip πάνω στο dimm όχι.