Προς το περιεχόμενο

Η Samsung ολοκλήρωσε την ανάπτυξη της κατασκευαστικής μεθόδου 5nm EUV (FinFET)


timk

Προτεινόμενες αναρτήσεις

Η Samsung Electronics, ανακοίνωσε πρόσφατα ότι ολοκλήρωσε την ανάπτυξη της κατασκευαστικής μεθόδου 5nm FinFET, και πως είναι έτοιμη να ξεκινήσει στην κατασκευή δειγμάτων για πελάτες.

Με την προσθήκη μίας ακόμη γραμμής παραγωγής τεχνολογίας αιχμής στις υπάρχουσες προσφορές λιθογραφίας ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας (EUV, Extreme UltraViolet), η Samsung αποδεικνύει για ακόμη μία φορά την κορυφαία θέση της στην αγορά της κατασκευής ημιαγωγών. Σύμφωνα με την εταιρεία, η νέα κατασκευαστική μέθοδος 5nm, παρέχει έως και 25%  αύξηση σε αυτό που ονομάζει «logic area efficiency», έως και 20% χαμηλότερη κατανάλωση καθώς και έως και 10% υψηλότερη απόδοση σε σχέση με την κατασκευαστική μέθοδο 7nm FinFET.

Η νέα γραμμή παραγωγής έχει εγκατασταθεί στο εργοστάσιο που διατηρεί στην πόλη Hwaseong, στη Νότιο Κορέα, που θα επεκταθεί μέχρι το δεύτερο μισό της χρονιάς ενώ αναμένεται να αυξήσει σημαντικά την παραγωγή του μέχρι τις αρχές του 2020. Εκτός από την μεγάλη ανακοίνωση της σχετικά με την λιθογραφία ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας των 5nm, η εταιρεία έκανε γνωστό ότι εργάζεται και πάνω σε EUV-based chips στα 6nm σε συνεργασία με ορισμένους πελάτες της (λογικά πρόκειται για μία χαμηλότερου κόστους μέθοδο κατασκευής που είναι κατάλληλη για mid-range και upper mid-range προϊόντα.

1.jpg.07960a584db15c458ad99a118f9870a8.jpg

GSMArena


View full article

Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

Είμαι ο μόνος που δεν κατάλαβα τίποτε άλλο από το άρθρο πέρα από το γεγονός ότι έφτιαξαν μία επιπλέον μονάδα παραγωγής? 😵

  • Thanks 1
  • Sad 1
Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

14 λεπτά πριν, motherfather είπε

Είμαι ο μόνος που δεν κατάλαβα τίποτε άλλο από το άρθρο πέρα από το γεγονός ότι έφτιαξαν μία επιπλέον μονάδα παραγωγής? 😵

Well to be perfectly honest, in my humble opinion, of course without offending anyone who thinks differently from my point of view, but also by looking into this matter in a different perspective and without being condemning of one's view's and by trying to make it objectified, and by considering each and every one's valid opinion, I honestly believe that I completely forgot what I was going to say.

  • Like 3
  • Confused 1
Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

13 λεπτά πριν, motherfather είπε

Είμαι ο μόνος που δεν κατάλαβα τίποτε άλλο από το άρθρο πέρα από το γεγονός ότι έφτιαξαν μία επιπλέον μονάδα παραγωγής? 😵

Στην ουσια καταφεραν να φτιαξουν μοναδα παρασκευης για chips με 5nm transistors. Η διαδικασια αυτη  που φτιαχνουν ηλεκτρονικα με τοσο μικρα transistors λεγεται node. Ηταν στα 7nm και τωρα πανε στα 5nm, οποτε θα μπορεσουν να χωρεσουν περισσοτερα transistors στο ιδιο chip γιαυτο και λεει αυξανεται η αποδοση κτλπ.. Το θεμα ειναι μετα τα 5nm οπου ακομα και τα FinFETs θα εχουν θεμα με το quantum tunneling (δλδ ειναι τοσο μικρα που τα ηλεκτρονια πηδανε απτο ενα transistor στο αλλο και βραχυκυκλωνει). 

 

  • Like 9
  • Thanks 3
Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

Αναφορά σε κείμενο

..."Σύμφωνα με την εταιρεία, η νέα κατασκευαστική μέθοδος 5nm, παρέχει έως και 20% χαμηλότερη κατανάλωση καθώς και έως και 10% υψηλότερη απόδοση σε σχέση με την κατασκευαστική μέθοδο 7nm FinFET"...

 

Φτανουμε στο οριο σιγά-σιγά όσον αφορα τις βελτιώσεις που μπορεί να προσφέρει η χρήση καινοτόμων τεχνικών λιθογραφίας (τα ποσοστά που υπόσχεται η εταιρεία, ακόμα και να ισχύουν, σίγουρα δεν εντυπωσιάζουν).

Μια πενταετία ακόμα έμεινε και οι κατασκευαστές θα αναγκαστούν να αλλάξουν ριζικα τη δομή (και όχι απλα να βελτιώνουν την τεχνική κατασκευής) αυτού που σήμερα ονομάζουμε "SOC" για να παραμείνουν επίκαιρα τα προιοντα τους.

Ενα είναι ξεκάθαρο για μένα, ο "εγκέφαλος" που θα ελέγχει τα κινητά του 2028-2030 δεν θα έχει απολύτως καμμια σχέση με τις σημερινές υλοποιήσεις. 

  • Like 2
Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

15 λεπτά πριν, load είπε

Στην ουσια καταφεραν να φτιαξουν μοναδα παρασκευης για chips με 5nm transistors. Η διαδικασια αυτη  που φτιαχνουν ηλεκτρονικα με τοσο μικρα transistors λεγεται node. Ηταν στα 7nm και τωρα πανε στα 5nm, οποτε θα μπορεσουν να χωρεσουν περισσοτερα transistors στο ιδιο chip γιαυτο και λεει αυξανεται η αποδοση κτλπ.. Το θεμα ειναι μετα τα 5nm οπου ακομα και τα FinFETs θα εχουν θεμα με το quantum tunneling (δλδ ειναι τοσο μικρα που τα ηλεκτρονια πηδανε απτο ενα transistor στο αλλο και βραχυκυκλωνει). 

Νομίζω η "στούκα" που λες είναι στα 3nm.

Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

Δημοσ. (επεξεργασμένο)
1 ώρα πριν, Coul είπε

Πλέον στο insomnia αντί για τεχνολογικά νέα, διαβάζουμε εταιρικά νέα.

Αυτό λέγεται "τεχνολογικό επίτευγμα“. 

"Εταιρικό νέο" θα ήταν αν μας ενημέρωνε για καμιά εξαγορά ή διακύμανση της μετοχής. 

Μπερδεύεσαι. 

Επεξ/σία από stafaf
  • Like 9
  • Thanks 4
Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

1 ώρα πριν, dimtsef είπε

Well to be perfectly honest, in my humble opinion, of course without offending anyone who thinks differently from my point of view, but also by looking into this matter in a different perspective and without being condemning of one's view's and by trying to make it objectified, and by considering each and every one's valid opinion, I honestly believe that I completely forgot what I was going to say.

Το insomnia, τα τσιγάρα, τα ποτά και τα ξενύχτια φταίνε..:)

Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

Δημοσ. (επεξεργασμένο)

Για να έχουμε μια ιδέα:

Αναφορά σε κείμενο

 

Specifically, the industry is pinpointing and narrowing down the transistor options for the next major nodes after 3nm. Those two nodes, called 2.5nm and 1.5nm, are slated to appear in 2027 and 2030, respectively, according to the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) version 2.0. Another organization, Imec, is more aggressive with the timetable, saying that 2.5nm or thereabouts will arrive by 2024.

https://semiengineering.com/transistor-options-beyond-3nm/

Αναφορά σε κείμενο

It’s hard to predict what will happen beyond 3nm. In fact, 3nm and beyond may never happen at all, as there are a multitude of unknowns and challenges in the arena. Perhaps chip scaling will finally run out of steam by then.

 

Αυτό για τους" χαχόλους" φίλους που δεν βλέπουν την "στούκα" πόσο μάλλον τον τοίχο της φυσικής.

 

Επεξ/σία από Sir_Teraflop
  • Like 1
Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

8 ώρες πριν, load είπε

Το θεμα ειναι μετα τα 5nm οπου ακομα και τα FinFETs θα εχουν θεμα με το quantum tunneling (δλδ ειναι τοσο μικρα που τα ηλεκτρονια πηδανε απτο ενα transistor στο αλλο και βραχυκυκλωνει). 

 

7 ώρες πριν, Sir_Teraflop είπε

Νομίζω η "στούκα" που λες είναι στα 3nm.

 

Θα το πανε μέχρι τέλους, όπως καταφεραν να ξεπεράσουν και τους προηγουμενους περιορισμούς της λιθογραφίας παλιότερα 

https://newscenter.lbl.gov/2016/10/06/smallest-transistor-1-nm-gate/

Όπως και να το κάνουμε όμως, μετά έρχονται "πράματα και θάματα"...η φωτολιθογραφία μας υπηρέτησε πιστα 6 δεκαετίες, αλλα πλέον φτάνουμε στο τέλος της διαδρομής και ανατέλλουν άλλες καινοτόμες τεχνικές.

Συνδέστε για να σχολιάσετε
Κοινοποίηση σε άλλες σελίδες

Δημιουργήστε ένα λογαριασμό ή συνδεθείτε για να σχολιάσετε

Πρέπει να είστε μέλος για να αφήσετε σχόλιο

Δημιουργία λογαριασμού

Εγγραφείτε με νέο λογαριασμό στην κοινότητα μας. Είναι πανεύκολο!

Δημιουργία νέου λογαριασμού

Σύνδεση

Έχετε ήδη λογαριασμό; Συνδεθείτε εδώ.

Συνδεθείτε τώρα
  • Δημιουργία νέου...