Η Samsung θα επενδύσει $7 δις σε γραμμές παραγωγής chips στα 10nm και 7nm

[voltmod]

Η Samsung πρόκειται να λανσάρει σε λίγο καιρό τα πρώτα της smartphones με SoC (System-on-Chip) που έχει κατασκευαστεί σε κλίμακα 10nm. Πρόκειται για τα Galaxy S8 και Galaxy S8+ που θα κυκλοφορήσουν με Snapdragon 835 ή Exynos 8895 SoC ανάλογα την αγορά.

Η Νοτιοκορεάτικη εταιρεία κάνει μεγάλα σχέδια για τις γραμμές παραγωγής της, και πρόσφατα ανακοίνωσε ότι πρόκειται να επενδύσει $6,98 δισεκατομμύρια στην επέκταση τους, αλλά και στην κατασκευή εγκαταστάσεων για την παραγωγή chips στα 7nm μέσα στο 2018.

 

Πηγές από την βιομηχανία αποκάλυψαν ότι στις 13 Μαρτίου, η Samsung έλαβε την απόφαση να επεκτείνει τις γραμμές παραγωγής 10nm (θα κατασκευάζονται chips τύπου Qualcomm Snapdragon 835 και Samsung Exynos 8895) στην βιομηχανική περιοχή Hwaseong, που βρίσκεται 40 χιλιόμετρα νοτιοδυτικά της Seoul. Η κατασκευάστρια ημιαγωγών έχει ήδη παραγγείλει τον σχετικό εξοπλισμό από τοπικούς συνεργάτες αλλά και από το εξωτερικό, και αναμένεται να τον παραλάβει τον Μάϊο.

 

Πέρα από την επέκταση της γραμμής παραγωγής chips σε κλίμακα 10nm και την επένδυση των $2,18 δισεκατομμυρίων, η Νοτιοκορεάτικη εταιρεία έχει μεγάλες προσδοκίες και για την γραμμή παραγωγής 7nm, και τα chips αυτού του τύπου αναμένεται να βρεθούν στις ναυαρχίδες της εταιρείας που θα παρουσιαστούν το 2018 ή το 2019.

 

Ο λόγος για τις τολμηρές αποφάσεις της εταιρείας δεν είναι άλλος από την TSMC, που είναι και ο βασικός ανταγωνιστής της Samsung. Η TSMC έκλεισε συμφωνία με την Apple για την κατασκευή των A10 και A10X chips, και αυτό αναμένεται να έχει σημαντική αρνητική επίδραση στα έσοδα της Samsung. Η Samsung πρόκειται να επενδύσει τα υπόλοιπα περίπου $5,23 δισεκατομμύρια στις γραμμές παραγωγής 7nm, στις οποίες θα παράγονται 30000 wafers με chips των 7nm τον μήνα. Στέλεχος της Νοτιοκορεάτικης εταιρείας επισήμανε, πως αν η εταιρεία του καταφέρει να κλείσει κάποια μελλοντική συμφωνία με την Apple, οι επενδύσεις της στον τομέα θα αυξηθούν.

 

Site: GSMArena

[Agnwstos_X]

Αναμενομενες κινησεις αν και αμφιβαλλω οτι θα δουμε soc στα 7nm το 2018.

[Architekt]

10.. 7... 5... κ μετά? Τι?

[Alani13]

3...2....1...

[Silverage]

4, 2, 1

[alcemist]

fun fact:

 

1 άτομο πυριτίου = 0,21 nm (εμπειρική διάμετρος)

 

 

επίσης από wikipedia:

Beyond 7 nm, major technological advances would have to be made; possible candidates include vortex laser,^[3]MOSFET-BJT dual-mode transistor,^[4]3D packaging,^[5]microfluidic cooling,^[6]PCMOS,^[7]vacuum transistors,^[8]t-rays,^[9]extreme ultraviolet lithography,^[10]carbon nanotube transistors,^[11]silicon photonics,^[12]graphene,^[13]phosphorene,^[14]organic semiconductors,^[15]gallium arsenide,^[16]indium gallium arsenide,^[17]nano-patterning,^[18] and reconfigurable chaos-based microchips.^[19]

 

^{διαλέγεις και παίρνεις}

[pcos]

μεχρι τοτε μπορει να πεσει κανα αλλο UFO στο ροσγουελ και να βρουν αλλη τεχνολογια ολοκληρωσης

[Stitch19]

Μετά το 3-2-1nm κτλ πάμε σε 3D stacking όπως γίνετε πλέον με κάποιες από τις μνήμες στις GPU.

 

Συγχαρητήρια στην Samsung, όχι μονο είναι ένας κολοσσός στον κόσμο της τεχνολογίας, αλλα απ αυτήν εξαρτούνται ΠΑΡΑ ΠΟΛΛΟΙ άλλοι κολοσσοί αφού βγάζει τις καλύτερες μνήμες για διαφορες συσκευές, έχει την δυνατότητα να κατασκευάζει 10nm mobile cpu's και άπειρα αλλα.

 

Είναι αξια θαυμασμού το τι κάνει και σε πόσους διαφορετικούς τομής της τεχνολογίας πρωταγωνιστεί.

[JimGer]

1.5 nm είναι το φυσικό όριο μήκους πύλης. Αλλά έχουμε άλλα θέματα να λύσουμε... Διασύνδεση και κυρίως απαγωγή θερμότητας

[billkar13]

Το μέλλον είναι τα memristor googlarete το

[tz_aristotelis]

Νομίζω ότι στα 7 nm προσπαθεί και η mediatek με τον x30 σε 12 cores αλλά δεν υπάρχει (όπως έγραφε το αρθρο) σημαντικό ενδιαφέρον για την οικονομική στήριξη του σχεδίου. Πάντα σε εργοστάσια της tcms.

[greenalex1996]

Πολύ δυνατός ο ανταγωνισμός στα κινητά, τα PC τα έχουν όλοι γραμμενα.

[Επισκέπτης]

1.5 nm είναι το φυσικό όριο μήκους πύλης. Αλλά έχουμε άλλα θέματα να λύσουμε... Διασύνδεση και κυρίως απαγωγή θερμότητας

 

Γενικότερα σε κάθε μέγεθος είχαμε και θα έχουμε ένα μικρό leak όπου τα ηλεκτρόνια περνάνε μέσα από τον insulator που προστατεύει την πύλη. Η διαρροή αυτού του ρεύματος έχει σαν αποτέλεσμα την σπατάλη ενέργειας, την αύξηση της θερμοκρασίας μέχρι και την καταστολή της λειτουργίας της συσκευής. Όσο πλησιάζουμε τα ~3nm τόσο αυτό το leak αυξάνεται, από τα 3 και μετά αυξάνεται εκθετικά κάνοντας την χρήση ενός επεξεργαστή με transistor τέτοιου μεγέθους να είναι παντελώς άχρηστη.

Υ.Γ Με απλά Ελληνικά -και εδώ μπαίνει η δικιά μου προσωπική άποψη- αν δεν αλλάξουμε υλικά και δεν εφεύρουμε κάποιον νέο τρόπο κατασκευής που να συμβαδίζει (να πηγαίνει δλδ χέρι-με-χέρι) με αυτά τα υλικά τότε το φυσικό όριο είναι τα 5nm.

Μετά (x < 3) ότι και να κάνεις, με κλειστή ή ανοιχτή την πύλη το ρεύμα θα περνάει άρα δεν θα μπορεί να παρθεί computational αποτέλεσμα μιας και δεν θα υπάρχει σωστό input.

[Heybro]

Να και μια εταιρία που επενδύει πραγματικα χρήματα στο R&D για τις mobile συσκευές.