IBM και Samsung προετοιμάζουν το διάδοχο της NAND Flash

[Rubenstilchkin]

Στην ανάπτυξη ενός νέου τύπου μνήμης, εν ενόματι STT MRAM, η αποδοτικότητα αλλά και οι χαμηλές ενεργειακές απαιτήσεις της οποίας ξεπερνούν κατά πολύ αυτές της σημερινής NAND Flash, εργάζονται εδώ και καιρό οι εταιρείες Samsung και IBM.

Οι μνήμες Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM (STT MRAM) θα κατασκευάζονται στα 11nm και θα προσφέρουν ταχύτητες ανάγνωσης έως και 100.000 φορές υψηλότερες από τις εκείνες των πλέον σύγχρονων NAND Flash, δεν θα καταναλώνουν ηλεκτρική ενέργεια όταν βρίσκονται σε "idle mode" (συντελώντας στην αυξημένη αυτονομία της μπαταρίας του κινητού) και ιδανικά, δεν θα φθείρονται ποτέ.

 

Χαρακτηριστικά, ο χρόνος εγγραφής δεδομένων της νέας μνήμης, σε σχέση με το 1 microsecond που απαιτείται από την μνήμη NAND Flash, δεν θα ξεπερνά τα 10 nanoseconds.

 

Στόχος των δύο εταιρειών, μέσα στα επόμενα χρόνια, είναι η υιοθέτηση της STT MRAM για την κατασκευή ΙοΤ λύσεων και wearables, ενώ, μελλοντικά, δεν αποκλείεται να χρησιμοποιηθεί και στην κατασκευή αρθρωμάτων DRAM μνήμης - αυξάνοντας έτσι τις επιδόσεις και την αυτονομία των συμβατικών PCs.

 

 

Site: TechPP

[zx1234r]

What a time to be alive.....

[coffeex]

δεν θα καταναλώνουν ηλεκτρική ενέργεια όταν βρίσκονται σε "idle mode" (συντελώντας στην αυξημένη αυτονομία της μπαταρίας του κινητού) και ιδανικά, δεν θα φθείρονται ποτέ.

ενώ, μελλοντικά, δεν αποκλείεται να χρησιμοποιηθεί και στην κατασκευή αρθρωμάτων DRAM μνήμης - αυξάνοντας έτσι τις επιδόσεις και την αυτονομία των συμβατικών PCs.

Αυτά είναι νέα

[LongTom]

Όχι μόνο DRAM,αλλά και SRAM και γενικά έχουν όλα τα φόντα να γίνουν οι πρώτες πραγματικές universal μνήμες,από επίπεδο επεξεργαστή μέχρι το επίπεδο storage(λόγω ταχύτητας, μεγέθους και non-volatility).

Αλλά έχουν κάποια παλούκια προβλήματα με το write 1-0, με την έννοια της στοχαστικής εγγραφής και στα 11nm που λεν θα πρέπει να έχουν πολύ ισχυρά ECC λόγω thermal switching που εξαρτάται από το μέγεθος του MTJ.Εδώ στα 65nm τεχνολογία και έχουν προβλήματα όταν τα κάμεις και άλλο scaling.

[vaggelhs4]

Όχι μόνο DRAM,αλλά και SRAM και γενικά έχουν όλα τα φόντα να γίνουν οι πρώτες πραγματικές universal μνήμες,από επίπεδο επεξεργαστή μέχρι το επίπεδο storage(λόγω ταχύτητας, μεγέθους και non-volatility).

Αλλά έχουν κάποια παλούκια προβλήματα με το write 1-0, με την έννοια της στοχαστικής εγγραφής και στα 11nm που λεν θα πρέπει να έχουν πολύ ισχυρά ECC λόγω thermal switching που εξαρτάται από το μέγεθος του MTJ.Εδώ στα 65nm τεχνολογία και έχουν προβλήματα όταν τα κάμεις και άλλο scaling.

Οι επόμενες γενιές SSD επίσης θα έχουν τέτοιες μνήμες.

[zx1234r]

Εγώ θέλω μερικά τέτοια να αντικαταστήσουν την ανθρώπινη μνήμη........

[coffeex]

Εγώ θέλω μερικά τέτοια να αντικαταστήσουν την ανθρώπινη μνήμη........

Δεν θα το έλεγα γιατί έτσι θα μείνει και η ανθρώπινη βλακεία που δεν αλλάζει. 

[LongTom]

Οι επόμενες γενιές SSD επίσης θα έχουν τέτοιες μνήμες.

Ναι, universal = όλες τις υπάρχουσες μνήμες με ελάχιστες εξαιρέσεις.

Τώρα εάν θα είναι η STT ή άλλη non-volatile(ή selectively volatile)θα δούμε.

[pcos]

Δεν θα το έλεγα γιατί έτσι θα μείνει και η ανθρώπινη βλακεία που δεν αλλάζει.

κι ομως αν σκεφτουμε ποσο χρησιμη ειναι η βλακεια για bug testing θα της φτιαχναμε ανδριαντα

[rednez]

ssd με τετοιες ταχυτητες θελουμε

[takaros123]

Sammy τι άλλο...πάμε γερα!!!

[Regulus]

"Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM" αυτό δεν το λες, αυτός που το σκέφτηκε είναι ανώμαλος αλλά η τεχνολογία αν γίνει όπως το λένε μαμάει...

Και προσέξτε όλη η φασαρία αρχικά για τα wearables εμείς που τα ακουμπάμε στα pcιά στο χ€σιμο.

[LongTom]

"Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM" αυτό δεν το λες, αυτός που το σκέφτηκε είναι ανώμαλος αλλά η τεχνολογία αν γίνει όπως το λένε μαμάει...

Και προσέξτε όλη η φασαρία αρχικά για τα wearables εμείς που τα ακουμπάμε στα pcιά στο χ€σιμο.

Τι εννοείς; Είναι STT-RAM με PMAMTJ και ήδη λειτουργεί όπως περιγράφεται,απλά όχι στα deep nano που ελπίζουν να αναπτύξουν.

Επίσης από την αρχή ο στόχος ήταν cache,processor μνήμη και ειδικότερα αντικαταστάτης των SRAM(που είναι κακές στο deep-aggressive scaling) με ελπίδες για αντικατάσταση DRAM και των κλασσικών non-volatile.

Τα wearable ήρθαν πολύ αργότερα και απλά συνδυάζονται καλά με την non-volatility της STTRAM.