Η TSMC αποκάλυψε εντυπωσιακές λεπτομέρειες για την τεχνολογία "2nm N2", παρουσιάζοντας σημαντικές βελτιώσεις στην απόδοση και την ενεργειακή κατανάλωση.

Σύμφωνα με την παρουσίαση της TSMC στο IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) στο Σαν Φρανσίσκο, η νέα τεχνολογία κατασκευής επεξεργαστών 2 νανομέτρων αναμένεται να φέρει επανάσταση στην αγορά των ημιαγωγών.

Η εταιρεία αποκαλύπτει ότι η τεχνολογία "N2 Nanosheet" επιτυγχάνει 15% υψηλότερη απόδοση και έως 30% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας σε σύγκριση με προηγούμενες γενιές. Επιπλέον, παρατηρείται αύξηση της πυκνότητας των τρανζίστορ κατά 1,15 φορές, χάρη στη χρήση τεχνολογίας all-around gate (GAA) και του συστήματος N2 NanoFlex.

image.png.06a8efc3d0f2ba52d25441dcc7cd6fb7.png

Η μετάβαση από την παραδοσιακή τεχνολογία FinFET στο "nanosheet" επιτρέπει καλύτερο έλεγχο της ροής του ρεύματος, καθώς τα nanosheets διαθέτουν στοίβες στενών ταινιών πυριτίου, που περιβάλλονται από μια "πύλη". Αυτό επιτρέπει ακριβέστερο έλεγχο σε σύγκριση με την υλοποίηση FinFET.

Η μαζική παραγωγή της τεχνολογίας 2nm αναμένεται να ξεκινήσει το δεύτερο εξάμηνο του 2025. Ωστόσο, η TSMC επισημαίνει ότι το κόστος των wafer θα είναι σημαντικά υψηλότερο, με εκτιμώμενη αύξηση πάνω από 10% σε σύγκριση με την τεχνολογία 3nm. Συγκεκριμένα, η τιμή ανά wafer αναμένεται να κυμαίνεται μεταξύ 25.000 και 30.000 δολαρίων, σε σύγκριση με περίπου 20.000 δολάρια για την τεχνολογία 3nm.

image.png.51cecb381a39c245721b936ff0a1391f.png

Μεγάλες εταιρείες όπως η Apple και η NVIDIA αναμένεται να υιοθετήσουν τη νέα τεχνολογία, παρά το αυξημένο κόστος, λόγω των σημαντικών βελτιώσεων που προσφέρει. Ωστόσο, οι αρχικοί ρυθμοί παραγωγής και η περίοδος δοκιμών αναμένεται να περιορίσουν την αρχική διαθεσιμότητα της τεχνολογίας.

  • Like 3
  • Thanks 2
  • Haha 1