Προσθήκη σχολίου (14 σχόλια)

Η συμμαχία μεταξύ IBM, Samsung Electronics και Toshiba, ανακοίνωσε ότι το δεύτερο εξάμηνο του 2009 θα είναι παραδοτέα τα πρώτα chip κατασκευασμένα με τεχνολογία 32 nanometers.

 

Τα νέα chip θα έχουν, σύμφωνα με την IBM, περίπου 35% καλύτερη απόδοση σε δεδομένο voltage, ενώ ίδια απόδοση θα μπορεί να επιτευχθεί με 30% ως 50% λιγότερη κατανάλωση - πάντα σε σχέση με τα chip των 45nm. Έτσι θα γίνει εφικτή η κατασκευή πιό ισχυρών chip τα οποία δεν θα έχουν υπέρογκες απαιτήσεις ισχύος και τα οποία θα είναι πολύ χρήσιμα από μικρές συσκευές (πχ κινητά τηλέφωνα) για μεγαλύτερη αυτονομία και δυνατότητες, έως μεγάλους servers σε Data Centers για την επίτευξη χαμηλότερων θερμοκρασιών χώρου με παράλληλη αύξηση της απόδοσης.

 

Ένα από τα κυριότερα προβλήματα που έχουν να αντιμετωπίσουν οι κατασκευαστές chip, όσο κατευθύνονται στην ανάπτυξη chip από 45nm και κάτω, είναι η διαρροή ηλεκτρικού φορτίου (leakage) η οποία δημιουργεί προβλήματα. Έτσι, πλέον οι λύσεις έχουν στραφεί σε διάφορες τεχνικές που στοχεύουν να αντικαταστήσουν τις πύλες από διοξείδιο του πυριτίου. Η Intel, για παράδειγμα, χρησιμοποιεί high-k/metal (hafnium) προκειμένου να επιτύχει τη συρρίκνωση. Η συμμαχία της IBM έχει παρεμφερή δική της τεχνική ενώ η AMD έχει σχηματίσει ξεχωριστή συμμαχία προκειμένου να επιδιώξει την υλοποίηση του SOI (Silicon-On-Insulator) η οποία όμως διατηρεί το πυρίτιο προσπαθώντας να περιορίσει τα προβλήματα leakage μέσω ενός στρώματος από μονωτικό υλικό.

 

 

Source.png Πηγή: CNET Blogs

Source.png Πηγή: adslgr.com