Το επόμενο κορυφαίο SoC της Qualcomm θα είναι το Snapdragon 835, με την εταιρεία να ανακοινώνει σήμερα ότι θα αποκαλύψει τις απαραίτητες πληροφορίες γύρω από αυτό, την επόμενη εβδομάδα στην έκθεση CES 2017.

Πάντως ήδη γνωρίζουμε μερικές σημαντικές πληροφορίες γύρω από το νέο τσιπ όπως ότι αυτό θα κατασκευαστεί από τη Samsung, χρησιμοποιώντας την κατασκευαστική μέθοδο των 10nm FinFET, ενώ θα υποστηρίζει την τεχνολογία Quick Charge 4 για γρήγορη φόρτιση. Ήδη η Qualcomm έχει αναφερθεί στο πόσο γρήγορη θα είναι η φόρτιση συσκευών που θα ενσωματώνουν το τελευταίο της chipset, όπου με 5 λεπτά φόρτισης, το smartphone θα διαθέτει 5 ώρες αυτονομία. Συνολικά μια πλήρης φόρτιση θα ολοκληρώνεται 20% πιο γρήγορα, με 30% καλύτερη απόδοση και με τις θερμοκρασίες να κρατούνται σε χαμηλότερα επίπεδα.

 

Σε ότι αφορά το Snapdragon 835, ακόμα δε γνωρίζουμε αν θα περιλαμβάνει τετραπύρηνο επεξεργαστή όπως ο προκάτοχός του, το Snapdragon 820/821, η οκταπύρηνο επεξεργαστή όπως το Snapdragon 810. Αν πιστέψουμε μια πρόσφατη διαρροή μέτρησης από μετροπρόγραμμα, θα πρέπει να περιμένουμε οκταπύρηνο επεξεργαστή με ταχύτητα έως 2.2GHz και με υποσύστημα γραφικών Adreno 540 το οποίο θα είναι κατά 30% πιο γρήγορο από την προηγούμενη έκδοση.

 

Το LG G6 και το Galaxy S8 της Samsung αποτελούν ένα σίγουρο στοίχημα σε ότι αφορά τα πρώτα smartphones που θα ενσωματώνουν το νέο chipset, αν και για πολλούς, μεγαλύτερο ενδιαφέρον παρουσιάζει η παρουσία του σε συσκευές που θα μπορούν να τρέχουν desktop εφαρμογές των Windows 10.

 

Link.png Site: PhoneArena