Προσθήκη σχολίου (19 σχόλια)

Το τμήμα κατασκευής ημιαγωγών της Samsung και η ARM ανακοίνωσαν ότι θα συνεργαστούν στην ανάπτυξη system-on-chips με βάση τον πυρήνα Cortex-A76 χρησιμοποιώντας κατασκευαστική μέθοδο 7nm LPP (Low Power Plus) πριν στην συνέχεια προχωρήσουν στην κατασκευαστική μέθοδο 5nm LPE (Low Power Early).

Με βάση τις κατασκευαστικές μεθόδους 7LPP (7nm Lowe Power Plus) και 5LPE (5nm Low Power Early) της Samsung Foundry, η πλατφόρμα ARM Artisan Physical IP θα ενεργοποιήσει άνω των 3GHz απόδοση computing στον επεξεργαστή της ARM, Cortex-A76.

Τα πρώτα chips στα 7nm που θα βγουν από τη γραμμή παραγωγής αναμένονται στο δεύτερο μισό της χρονιάς. Παράλληλα, η λιθογραφική μέθοδος ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας (EUV, Extreme Ultraviolet Lithography) βρίσκεται υπό ανάπτυξη και η Samsung Foundry αναμένεται να έχει ολοκληρώσει το τελικό στάδιο των δοκιμών μέσα στο πρώτο μισό του 2019.

Η ARM έχει ισχυριστεί ότι ο πυρήνας Cortex-A76 στα 3,0GHz (7nm) θα είναι 35% ταχύτερος από τον Cortex-A75 στα 2,8GHz (10nm) ενώ η κατανάλωση παρουσιάζεται μειωμένη κατά περίπου 40%. Η ARM χαρακτηρίζει τον πυρήνα Cortex-A76 «κλάσης φορητού υπολογιστή» (laptop-class) οπότε υπάρχει περίπτωση να δούμε και άλλες συσκευές να διαθέτουν chips που χρησιμοποιούν ως βάση τον συγκεκριμένο πυρήνα και όχι μόνο κινητά.

001.jpg.56122941adf3df849d0e9ebc9fddfc31.jpg.da2f7017249c03c29b66d9ad8e34ced0.jpg

Τα chips που θα κατασκευάζονται με μέθοδο 5nm Low Power Early θα καταναλώνουν ακόμα πιο μικρά ποσά ενέργειας σε σύγκριση με τα αντίστοιχα των 7nm. Tα τελευταία chips της Samsung Foundry τύπου FinFET θα κατασκευαστούν χρησιμοποιώντας τις μεθόδους 4nm Low Power Early και 4nm Low Power Plus με την παραγωγή τους να ξεκινάει σύμφωνα με το χρονοδιάγραμμα το 2019 και το 2020 αντίστοιχα.

Στη συνέχεια, η Samsung Foundry πρόκειται να προχωρήσει στην χρήση μεθόδου 3nm GAAE (Gate All Around Early) με βάση την αρχιτεκτονική MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Η μαζική παραγωγή δεν αναμένεται να ξεκινήσει πριν από το 2022.

GSMArena

 

  • Thanks 1