Η Samsung Electronics, ανακοίνωσε πρόσφατα ότι ολοκλήρωσε την ανάπτυξη της κατασκευαστικής μεθόδου 5nm FinFET, και πως είναι έτοιμη να ξεκινήσει στην κατασκευή δειγμάτων για πελάτες.

Με την προσθήκη μίας ακόμη γραμμής παραγωγής τεχνολογίας αιχμής στις υπάρχουσες προσφορές λιθογραφίας ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας (EUV, Extreme UltraViolet), η Samsung αποδεικνύει για ακόμη μία φορά την κορυφαία θέση της στην αγορά της κατασκευής ημιαγωγών. Σύμφωνα με την εταιρεία, η νέα κατασκευαστική μέθοδος 5nm, παρέχει έως και 25%  αύξηση σε αυτό που ονομάζει «logic area efficiency», έως και 20% χαμηλότερη κατανάλωση καθώς και έως και 10% υψηλότερη απόδοση σε σχέση με την κατασκευαστική μέθοδο 7nm FinFET.

Η νέα γραμμή παραγωγής έχει εγκατασταθεί στο εργοστάσιο που διατηρεί στην πόλη Hwaseong, στη Νότιο Κορέα, που θα επεκταθεί μέχρι το δεύτερο μισό της χρονιάς ενώ αναμένεται να αυξήσει σημαντικά την παραγωγή του μέχρι τις αρχές του 2020. Εκτός από την μεγάλη ανακοίνωση της σχετικά με την λιθογραφία ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας των 5nm, η εταιρεία έκανε γνωστό ότι εργάζεται και πάνω σε EUV-based chips στα 6nm σε συνεργασία με ορισμένους πελάτες της (λογικά πρόκειται για μία χαμηλότερου κόστους μέθοδο κατασκευής που είναι κατάλληλη για mid-range και upper mid-range προϊόντα.

1.jpg.07960a584db15c458ad99a118f9870a8.jpg

GSMArena

  • Like 3