Προσθήκη σχολίου (44 σχόλια)

Η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή solid state drives (SSDs) που ενσωματώνουν την 6η γενιά 256-gigabit (3b) three-bit V-NAND μνήμης.

Χάρη στην τεχνολογία «channel hole etching», η 6η γενιάς μνήμης V-NAND της Samsung διαθέτει 40% περισσότερα «κελιά» σε σύγκριση με την προηγούμενη 9x-layer single-stack δομή που χρησιμοποιούσε η εταιρεία.

Τώρα, η εταιρεία χρησιμοποιεί περισσότερα από 100 layers (136 layers) για την δημιουργία των 3D CTF (Charge Trap Flash) cells μνήμης. Το πρώτο προϊόν της εταιρείας που χρησιμοποιεί το μοναδικό single-stack 3D memory die με τα περισσότερα από 100 layers είναι το 6th-generation V-NAND SSD χωρητικότητας 250GB. Χάρη στο νέο τύπο μνήμης, επιτυγχάνεται σύμφωνα με την κατασκευάστρια εταιρεία περίπου 10% υψηλότερη απόδοση, ενώ η κατανάλωση μειώνεται κατά περίπου 15%. Επειδή ωστόσο τα chips μνήμης NAND flash τείνουν να είναι πιο ευάλωτα σε σφάλματα και στην υστέρηση κατά την ανάγνωση, η Samsung σχεδίασε ένα ειδικά βελτιστοποιημένο κύκλωμα που επιτρέπει την ταχύτερη δυνατή μεταφορά δεδομένων, 450μm για λειτουργίες εγγραφής και κάτω από 45μm για λειτουργίες ανάγνωσης.

Εκτός από το 250GB SSD, η Samsung σχεδιάζει να προσφέρει 512Gb three-bit V-NAND SSD και eUFS λύσεις μέσα στο δεύτερο μισό της χρονιάς. Η 6η γενιά μνήμης V-NAND έρχεται 13 μήνες μετά το λανσάρισμα της προηγούμενης έκδοσης της, μειώνοντας τον κύκλο μαζική παραγωγής κατά τέσσερις μήνες σε σχέση με το παρελθόν. Χάρη στους ταχύτερους κύκλους ανάπτυξης, η Samsung σκοπεύει να επεκταθεί ακόμα πιο γρήγορα στην αγορά των solid state drives.

Engadget

Samsung

  • Like 2