Η Samsung γιορτάζει την αποστολή των πρώτων 3nm Gate-All-Around chips

Στην εκδήλωση παρευρέθηκαν περίπου εκατό άτομα, μεταξύ των οποίων υψηλόβαθμα στελέχη της εταιρείας και υπάλληλοι, διευθύνοντες σύμβουλοι εταιρειών που επιθυμούν να αξιοποιήσουν την τεχνολογία της Samsung για την κατασκευή των δικών τους chips αλλά και ο Υπουργός Ενέργειας, Εμπορίου και Βιομηχανίας της χώρας, Lee Chang-yang.

Η Samsung ξεκίνησε την έρευνα για τη νέα κατασκευαστική μέθοδο transistors GAA στις αρχές της δεκαετίας του 2000 και πειραματίστηκε με διάφορα σχέδια το 2017. Σήμερα, η εταιρεία δηλώνει έτοιμη να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή chips αξιοποιώντας τη νέα αυτή κατασκευαστική μέθοδο. Σε σχέση με την κατασκευαστική μέθοδο FinFET, που αποτελεί το στάνταρντ της βιομηχανίας τα τελευταία χρόνια, ο σχεδιασμός GAA ή Gate-All-Around επιτρέπει στα transistors να μεταφέρουν ρεύμα υψηλότερης έντασης χωρίς αύξηση στο μέγεθος τους. Σύμφωνα με τη Samsung, τα 3nm GAA chips χρησιμοποιούν 45% λιγότερη ενέργεια ενώ είναι κατά 23% ταχύτερα και 16% μικρότερου μεγέθους σε σύγκριση με τα chips που κατασκευάζονται με μέθοδο 5nm FinFET. Αργότερα, με τη 2η γενιά της κατασκευαστικής μεθόδου, τα παραπάνω ποσοστά θα αυξηθούν περαιτέρω.

Η Samsung δεν αναφέρθηκε στο είδος των chips που αποτελούσαν την πρώτη αποστολή, ωστόσο η εταιρεία δεν έκρυψε ότι η συγκεκριμένη κατασκευαστική μέθοδος θα χρησιμοποιηθεί και για την κατασκευή chipsets/ SoCs για φορητές συσκευές, όπως για κινητά.

Αξίζει να αναφέρουμε πως και η αντίπαλος της Samsung, η TSMC, θα ξεκινήσει φέτος τη μαζική παραγωγή chips χρησιμοποιώντας μέθοδο 3nm FinFET. Η Ταϊβανέζικη εταιρεία πρόκειται να ξεκινήσει την παραγωγή chips με μέθοδο 2nm GAAFET από τα τέλη της χρονιάς ή της αρχές της επόμενης (η Samsung επί του παρόντος χρησιμοποιεί την GAA MBCFET μέθοδο).

• samsung