Προσθήκη σχολίου (47 σχόλια)

Η Samsung ανακοίνωσε στο συνέδριο Hot chips 33 ότι ανέπτυξε το πρώτο άρθρωμα μνήμης DDR5 στην βιομηχανία με μέγεθος 512GB. Το άρθρωμα χρησιμοποιεί 8-high (8H) stacked TSV (through silicon via) dies που είναι τύπου DDR5-7200 («τρέχουν» με 7,2Gbps).

Σχεδιασμένο ειδικά για εφαρμογές σε διακομιστές, κέντρα δεδομένων και επιχειρήσεις, το νέο άρθρωμα μνήμης έχει πάχος μόλις 1,0mm σε σχέση με τα 1,2mm των αρθρωμάτων μνήμης DDR4 που χρησιμοποιούν  4-high (4H) stacked TSV dies χάρη σε νέες, προηγμένες μεθόδους που χρησιμοποίησε στην κατασκευή των wafers. Με απλά λόγια, η εταιρεία κατάφερε να «στοιβάξει» οκτώ dies DDR5 επιτυγχάνοντας μικρότερο μέγεθος από μία στοίβα με τέσσερα DDR4 dies.

hRfEjynva6tiy3Yx.jpg

Τα RDIMM/LRDIMM αρθρώματα μνήμης που μπορούν να φτάσουν σε μέγεθος έως στα 512GB απευθύνονται σε περιβάλλοντα επιχειρήσεων ωστόσο τα αρθρώματα UDIMM που θα απευθύνονται σε απλούς χρήστες θα έχουν μέγεθος έως 64GB.

1zAmNPBNMZpuaK1w.jpg

Η ταχύτητα που αναφέραμε παραπάνω, στα 7,2Gbps επιτυγχάνεται με τάση μόλις 1,1V οπότε τα αρθρώματα μνήμης της Samsung είναι ενεργειακά αποδοτικότερα ενώ παράλληλα προσφέρουν έως και 40% υψηλότερη απόδοση πέρα από διπλάσια χωρητικότητα σε σχέση με τα αρθρώματα μνήμης DDR4. Πότε θα μπορέσουμε να εγκαταστήσουμε τέτοιου τύπου μνήμη στους υπολογιστές μας; Σύμφωνα με εκτιμήσεις της εταιρείας για την αγορά mainstream, η μετάβαση αναμένεται να γίνει την περίοδο 2023/ 2024 οπότε οι κατασκευαστές μνημών έχουν ακόμα καιρό να τελειοποιήσουν τα προϊόντα τους.

TvtNDGnYth8QX8Ql.jpg

  • Like 1