Τα chips με τις ονομασίες Samsung Exynos 8895 και Qualcomm Snapdragon 835 κατασκευάζονται με μέθοδο 10nm LPE (Low Power Early). Η δεύτερη γενιάς μέθοδος έχει την ονομασία 10nm LPP (Low Power Plus) και διαθέτει βελτιστοποιήσεις στην δομή 3D FinFET. Το αποτέλεσμα, σύμφωνα με την Samsung, είναι αύξηση 10% στην απόδοση και 15% μείωση στην κατανάλωση.
Λογικά, αναμένεται να δούμε να χρησιμοποιείται η μέθοδος 10nm LPP στις επόμενης γενιάς ναυαρχίδες Snapdragon και Exynos –που λογικά θα βρίσκονται στις επόμενης γενιάς συσκευές της σειράς Galaxy S- αλλά η Samsung έχει ήδη ξεκινήσει την εγκατάσταση του απαραίτητου εξοπλισμού στην πιο σύγχρονη γραμμή παραγωγής της, στην S3 στην Hwaseong, στην Κορέα. Η παραγωγή των πρώτων chips του είδους αναμένεται να ξεκινήσει στο τελευταίο τρίμηνο αυτής της χρονιάς.
Η μετάβαση από τα κατασκευής LPΕ chips στα chips LPP έχει ομοιότητες με την λογική “tick-tock” που χρησιμοποιούσε μέχρι πρόσφατα η Intel και ένα παράδειγμα είναι τα Galaxy S6 και S7, με το πρώτο να διαθέτει το Exynos 7420 που κατασκευαζόταν στα 14nm LPE και το δεύτερο να διαθέτει το Exynos 8890 που κατασκευαζόταν με την αναβαθμισμένη μέθοδο 14nm LPP.
Site: GSMArena
ΣΧΟΛΙΑ (31)
Δημιουργήστε ένα λογαριασμό ή συνδεθείτε για να σχολιάσετε
Πρέπει να είστε μέλος για να αφήσετε σχόλιο
Δημιουργία λογαριασμού
Εγγραφείτε με νέο λογαριασμό στην κοινότητα μας. Είναι πανεύκολο!
Δημιουργία νέου λογαριασμούΣύνδεση
Έχετε ήδη λογαριασμό; Συνδεθείτε εδώ.
Συνδεθείτε τώραΔημοσίευση ως Επισκέπτης
· Αποσύνδεση