Προσθήκη σχολίου (19 σχόλια)

Η Z-NAND είναι η απάντηση της Samsung στις τεχνολογίες όπως η 3D XPoint, με την Intel να ανακοινώνει πρόσφατα το πρώτο καταναλωτικό προϊόν που βασίζεται στην τεχνολογία της (και της Micron).

Η Z-NAND μοιάζει να έχει δανειστεί στοιχεία από NAND και DRAM, και αποτελεί περισσότερο ένα είδος μνήμης που μοιάζει με εξέλιξη της NAND, παρά μία ολοκαίνουρια τεχνολογία (διαφοροποιείται επομένως από παρόμοιες τεχνολογίες με την 3D XPoint).

 

Πάντως, το μυστικό της τεχνολογίας δεν βρίσκεται μόνο στα dies των chips Z-NAND, αλλά και στον ολοκαίνουριο ελεγκτή μνήμης της Κορεάτικης εταιρείας, για τον οποίο ακόμα δεν έχουν αποκαλυφθεί οι προδιαγραφές, πέρα από το ότι η υστέρηση –υποθέτουμε η read latency- θα είναι 70% χαμηλότερη από ότι στα σημερινά΄drives τύπου NVMe. Το Z-SSD που υπάρχει στην εικόνα, και το οποίο η Samsung “δειγματίζει” σε εταιρείες έχει χωρητικότητα 800GB και κάνει χρήση του δίαυλου PCIe 4x.

 

Σύμφωνα με την Κορεάτικη εταιρεία οι ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής (sequential) φτάνουν έως και στα 3200Gbps με τις random (σε IOPS) να φτάνουν τα 750.000 και 160.000 όσον αφορά την ανάγνωση και την εγγραφή αντίστοιχα. Η εταιρεία δεν έχει ανακοινώσει το παραμικρό σχετικά με την διαθεσιμότητα και την τιμή του Z-SSD ωστόσο γνωρίζουμε ότι τα solid state drives του είδους θα φτάσουν κάποια στιγμή σε χωρητικότητες 1TB, 2TB και 4TB.

 

Link.png Site: TechPowerUp