Προσθήκη σχολίου (13 σχόλια)

Λίγο παραπάνω από τέσσερις χρόνια πέρασαν από τότε που η Samsung αποκάλυψε τη μνήμη 3D vertical NAND flash, και τώρα μαθαίνουμε ότι η Νοτιοκορεάτικη εταιρεία προχώρησε στη κατασκευή του πρώτου της chip 1Tb (terabit) V-NAND.

Η τεχνολογία μνήμης flash, που χρησιμοποιείται σε αμέτρητες συσκευές, από φορητούς υπολογιστές, tablets και smartphones ως ψηφιακές φωτογραφικές μηχανές πρόκειται να κάνει το ντεμπούτο της του χρόνου. Όπως υποδεικνύεται και από την ονομασία 3D V-NAND, πρόκειται για μία τρισδιάστατη δομή chips μνήμης (vertically stacked structure) χάρη στην οποία επιδεικνύεται πολύ μεγαλύτερη πυκνότητα.

 

Το αποτέλεσμα είναι ακόμα μεγαλύτερη ταχύτητα, έως και δέκα φορές μεγαλύτερη αξιοπιστία κ.ά. Χάρη στο chip V-NAND του 1Tb, η Samsung θα μπορέσει να τοποθετήσει κάθετα, το ένα πάνω στο άλλο μέχρι και 16Tb μνήμης στην ίδια επιφάνεια, για να δημιουργήσει ένα μοναδικό V-NAND package με χωρητικότητα έως και 2TB.

 

Η εταιρεία επίσης μαθαίνουμε ότι είδη δειγματίζει σε εταιρείες ένα νέο form factor για SSDs, με την ονομασία NGSFF (Next Generation Small Form Factor), ο οποίος βελτιώνει τόσο τη χωρητικότητα μνήμης όσο και τα IOPs (input/ output operations per second) των σημερινών 1U rack servers. Τα πρώτα δείγματα NGSFF SSD έχουν χωρητικότητα 16TB με διαστάσεις 30,5 x 110 x 4,38mm. Για να επιδείξει τις δυνατότητες του νέου form factor, ένας 1U server με NGSFF drives αντί για M.2 drives μπορεί να αυξήσει την χωρητικότητα του κατά τέσσερις φορές (σε ένα σύστημα αναφοράς, η Samsung κατάφερε να χωρέσει σε ένα 1U rack περίπου 576TB χρησιμοποιώντας 36 NGSFF SSDs χωρητικότητας 16TB έκαστο.

 

Link.png Site: Engadget
Link.png Site: Samsung