Η Samsung φημολογείται ότι θα κατασκευάσει το Snapdragon 830 της Qualcomm στα 10nm

Η Samsung θα κατασκευάζει το Snapdragon 830 SoC χρησιμοποιώντας μέθοδο 10nm. Η Κορεάτικη εταιρεία έχει άλλωστε δηλώσει στο παρελθόν ότι η μέθοδος FinFET μπορεί εύκολα να επεκταθεί στα 7nm και πως δεν πρόκειται να αντιμετωπίσει κάποια ιδιαίτερη τεχνική δυσκολία πριν φτάσει στα 5nm. Η νέα μέθοδος που θα χρησιμοποιηθεί στην περίπτωση του Snapdragon 830 έχει αναπτυχθεί από κοινού από τις δύο εταιρείες.

 

Σύμφωνα με πληροφορίες ονομάζεται FoPLP (Fan-out Panel Level Package) και ο στόχος είναι να εξαλείψει την ανάγκη χρήσης πλακετών τυπωμένων κυκλωμάτων (Printed Circuit Board) για το υπόστρωμα της συσκευασίας. Αυτό θα μειώσει τα κόστη στην παραγωγή, θα κάνει ευκολότερη την ενσωμάτωση I/O ports και θα κάνει την συσκευασία γενικότερα ακόμα λεπτότερη, ενώ η βελτιωμένη μέθοδος θα βελτιστοποιήσει επιπλέον και την ενεργειακή αποδοτικότητα.

 

Λογικά, το Snapdragon 830 θα βρεθεί κατά πάσα πιθανότητα στις μισές συσκευές Galaxy S8, με τις άλλες μισές να ενσωματώνουν το in-house ανεπτυγμένο chip της Κορεάτικης εταιρείας, Exynos 8895, το οποίο θα κατασκευαστεί επίσης με μέθοδο 10nm με φήμες. Η TSMC έχει πάντως αναπτύξει την δική της μέθοδο 10nm, οπότε ο ανταγωνισμός μεταξύ των εργοστασίων αναμένεται να είναι έντονος και φέτος.

 

Site: GSMArena