Η Κορεάτικη εταιρεία θα παράγει αρθρώματα μνήμης με μέγεθος από 4GB για laptops έως 128GB για επιχειρησιακής κλάσης servers. Μάλιστα η εταιρεία υποσχέθηκε ότι σύντομα πρόκειται να παρουσιάσει DRAM στα 10nm για φορητές συσκευές.
Την περασμένη χρονιά, η Samsung παρουσίασε chips μνήμης NAND flash για Solid State Drives στα 10nm, ωστόσο σύμφωνα με την εταιρεία η σμίκρυνση της DRAM είναι μία αρκετά δυσκολότερη διαδικασία, επειδή απαιτείται και η σμίκρυνση των πυκνωτών πέρα από των transistors.
Η δυσκολία πολλαπλασιάζεται, επειδή η εταιρεία πρέπει να “στοιβάξει μικροσκοπικού μεγέθους κυλινδρικού σχήματος πυκνωτές που αποθηκεύουν μεγάλα ηλεκτρικά φορτία πάνω από transistors μεγέθους μερικών nanometers για την δημιουργία οκτώ δισεκατομμυρίων κελιών” με την χρήση της τεχνολογίας quadruple patterning, που έχει χρησιμοποιήσει και στην κατασκευή μνήμης NAND flash.
Σύμφωνα με την εταιρεία, το αποτέλεσμα είναι ένα chip που είναι 30% ταχύτερο και 20% ενεργειακά αποδοτικότερο από τα τελευταίας γενιάς RAM chips των 20nm. Τα αρθρώματα του είδους θα διατεθούν στην αγορά πριν το τέλος της χρονιάς.
Site: Engadget
ΣΧΟΛΙΑ (17)
Δημιουργήστε ένα λογαριασμό ή συνδεθείτε για να σχολιάσετε
Πρέπει να είστε μέλος για να αφήσετε σχόλιο
Δημιουργία λογαριασμού
Εγγραφείτε με νέο λογαριασμό στην κοινότητα μας. Είναι πανεύκολο!
Δημιουργία νέου λογαριασμούΣύνδεση
Έχετε ήδη λογαριασμό; Συνδεθείτε εδώ.
Συνδεθείτε τώραΔημοσίευση ως Επισκέπτης
· Αποσύνδεση