Οι μνήμες Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM (STT MRAM) θα κατασκευάζονται στα 11nm και θα προσφέρουν ταχύτητες ανάγνωσης έως και 100.000 φορές υψηλότερες από τις εκείνες των πλέον σύγχρονων NAND Flash, δεν θα καταναλώνουν ηλεκτρική ενέργεια όταν βρίσκονται σε "idle mode" (συντελώντας στην αυξημένη αυτονομία της μπαταρίας του κινητού) και ιδανικά, δεν θα φθείρονται ποτέ.
Χαρακτηριστικά, ο χρόνος εγγραφής δεδομένων της νέας μνήμης, σε σχέση με το 1 microsecond που απαιτείται από την μνήμη NAND Flash, δεν θα ξεπερνά τα 10 nanoseconds.
Στόχος των δύο εταιρειών, μέσα στα επόμενα χρόνια, είναι η υιοθέτηση της STT MRAM για την κατασκευή ΙοΤ λύσεων και wearables, ενώ, μελλοντικά, δεν αποκλείεται να χρησιμοποιηθεί και στην κατασκευή αρθρωμάτων DRAM μνήμης - αυξάνοντας έτσι τις επιδόσεις και την αυτονομία των συμβατικών PCs.
Site: TechPP
ΣΧΟΛΙΑ (12)
Δημιουργήστε ένα λογαριασμό ή συνδεθείτε για να σχολιάσετε
Πρέπει να είστε μέλος για να αφήσετε σχόλιο
Δημιουργία λογαριασμού
Εγγραφείτε με νέο λογαριασμό στην κοινότητα μας. Είναι πανεύκολο!
Δημιουργία νέου λογαριασμούΣύνδεση
Έχετε ήδη λογαριασμό; Συνδεθείτε εδώ.
Συνδεθείτε τώραΔημοσίευση ως Επισκέπτης
· Αποσύνδεση