Η IBM επιδεικνύει chip στα 5 νανόμετρα

Το συγκεκριμένο chip καταφέρνει να χωρέσει 30 δις τρανζίστορ ενώ συγκριτικά το προηγούενο chip στα 7 νανόμετρα περιλάμβανε 20 δις τρανζίστορ στην ίδια επιφάνεια.

 

Αυξάνοντας την πυκνότητα των τρανζίστορ η ΙΒΜ κατορθώνει να αυξήσει την ταχύτητα του ολοκληρωμένου κυκλώματος πετυχαίνοντας, σύμφωνα με την ίδια, αύξηση των επιδόσεων κατά 40 % ή βελτίωση της κατανάλωσης (power efficiency) κατά 75 % για την ίδια απόδοση σε σχέση με την υπάρχουσα γενιά chip των 10 νανομέτρων.

 

Στο νέο ολοκληρωμένο κύκλωμα η ΙΒΜ χρησιμοποιεί ένα νέου είδους τρανζίστορ τα οποία ονομάζονται νανοφύλλα πυριτίου (silicon nanosheets). Στα τρανζίστορ αυτά χρησιμοποιούν τέσσερεις πύλες, μία παραπάνω από τις τρεις πύλες που χρησιμοποιεί η υπάρχουσα τεχνολογία των FinFET. Τα FinFETs χρησιμοποιούνται ήδη στα chips των 22 νανομέτων και 14 νανομέτρων, ενώ προβλέπεται να χρησιμοποιηθούν μέχρι την τεχνολογία των 7 νανομέτρων. Ο συγκεκριμένος σχεδιασμός, ωστόσο, σύμφωνα με τον Mukesh Khare, αντιπρόεδρο του ερευνητικού τμήματος ημιαγωγών της ΙΒΜ, αντιμετωπίζει προβλήματα με την διαρροή ρεύματος (current leakage) σε μεγάλες πυκνότητες ολοκλήρωσης λόγω γεωμετρικών περιορισμών.

 

Η ΙΒΜ αναπτύσσει την τεχνολογία silicon nanosheets για περισσότερο από μια δεκαετία, χρησιμοποιώντας την τεχνολογία λιθογραφίας ακραίου υπεριώδους (Extreme Ultra Violet lithography), την ίδια που χρησιμοποίησε και για το chip των 7 νανομέτρων.

 

Το νέο chip των 5 νανομέτρων αναπτύχθηκε από την ΙΒΜ σε συνεργασία με την GlobalFoundries και την Samsung, με την σύμπραξη να ανακοινώνει τα αποτελέσματα της στο συμπόσιο 2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits conference στο Κιότο της Ιαπωνίας. Αν και η ΙΒΜ δεν κατασκευάζει η ίδια ολοκληρωμένα κυκλώματα, οι GlobalFoundries και Samsung έχουν την δυνατότητα να αποκτήσουν άδεια χρήση της νέας τεχνολογίας. Ως εκ τούτου τα νέα chips αναμένεται να αρχίσουν να κατασκευάζονται για εμπορική χρήση περί το 2020.

 

Η νέα τεχνολογία επίσης προβλέπεται να κρατήσει ζωντανό τον νόμο του Moore τουλάχιστον μέχρι το 2020 μια που τα σημερινά chips κατασκευάζονται με την τεχνολογία των 10 νανομέτρων (πχ Snapdragon 835 της Qualcomm).

 

Εικόνα ηλεκτρονικού μικροσκοπίου των νέων silicon nanosheets τρανζίστορ της IBM στα 5 νανόμετρα.

 

Site: Forbes
Site: IBM