Προσθήκη σχολίου (20 σχόλια)

Μια εναλλακτική πρόταση για τους πιο διαδεδομένους τύπους μνήμης φαίνεται να ετοιμάζεται να μας παρουσιάσει η Hewlett Packard ύστερα από την τελευταία της ανακοίνωση. Συγκεκριμένα η εταιρεία δηλώνει ότι ετοιμάζει τον αντικαταστάτη της DRAM σε τρία με τέσσερα χρόνια από σήμερα, και στη συνέχεια θα παρουσιάσει μια εναλλακτική λύση για την SRAM.

 

“Σχεδιάζουμε την αντικατάσταση των chip της αγοράς των μνημών τύπου Flash καθώς και την αντικατάσταση των SSD σε ενάμιση χρόνο από σήμερα αναφέρει ο Stan Williams ερευνητής της HP, στo φόρουμ καινοτομίας IEF 2011. Πιθανώς μέχρι το 2014 ή το 2015 να έχουμε έτοιμο τον ανταγωνιστή της DRAM και στη συνέχεια της SRAM. “Η τεχνολογία Flash είναι τελειωμένη υπόθεση”, συμπληρώνει.

 

Η τεχνολογία της HP επιτρέπει στα στρώματα της μνήμης με μόνιμη συγκράτηση δεδομένων (non-volatile memory) να τοποθετηθούν ακριβώς επάνω στη μονάδα του επεξεργαστή. Με αυτό τον τρόπο δεν υπάρχει καθυστέρηση για τη μεταφορά των δεδομένων από τη μνήμη στον επεξεραστή επιτυγχάνοντας έτσι απότέλεσμα που θα ισοδυναμεί περίπου με 20 χρόνια βελτίωσης των επιδόσεων, σύμφωνα με το Νόμο του Moore σε αυτό τον τομέα (των επιδόσεων) αναφέρει ο Williams.

 

Σε ερώτηση για το αν η εταιρεία σκοπεύει να κατασκευάσει η ίδια της μνήμες αυτές, η απάντηση ήταν ότι η HP θα προσφέρει μόνο την άδεια αλλά και την τεχνογνωσία για την κατασκευή των μνημών. Ήδη αρκετοί πελάτες της εταιρείας έχουν εκδηλώσει ενδιαφέρον, χωρίς να αποκαλυφθούν ονόματα κασκευαστών.

 

Για τους πιο “ψαγμένους” η προσέγγιση της HP θα χρησιμοποιεί τα στρώμματα memristor, μια τεχνολογία που έχει αναπτύξει η ίδια η εταιρεία η οποία θα ενσωματώνεται στα chip, και έχουν τη δυνατότητα να «θυμούνται» τα αποθηκευμένα δεδομένα ακόμα και αν διακοπεί η παροχή ηλεκτρικού ρεύματος. Ουσιαστικά θα παρέχουν την στοίβαξη αυθαίρετου αριθμού στρωμάτων (περίπου 500δις memristor ανά στρώμα των 5nm).

 

Link.png Site: electronicsweekly.com